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電阻率/方塊電阻測(cè)試儀性能 型號(hào):DP-DB1

更新時(shí)間:2021-01-27點(diǎn)擊次數(shù):1572

電阻率/方塊電阻測(cè)試儀  型號(hào):DP-DB1

DP-DB1本方阻測(cè)試新產(chǎn)品為薄膜測(cè)試提供機(jī)械、電氣兩方面的保護(hù),在寬廣的量程范圍內(nèi),使各種電子薄膜能得到準(zhǔn)確、無(wú)損的方塊電阻測(cè)量結(jié)果。

DP-DB1由于新型薄膜材料種類繁多,研制過(guò)程中樣品性能變化較大,而且各種薄膜的機(jī)械強(qiáng)度,允許承受的電壓、電流均不相同,因此DP-DB1型測(cè)試儀可為用戶量身定制各種特定探針壓力及曲率半徑的探針頭,儀器的測(cè)試電流分7檔,可由0.4μA增加到大為1000mA,測(cè)試電壓可由8V增加到80V,測(cè)試電壓和測(cè)試電流均可連續(xù)調(diào)節(jié),給薄膜、涂層的研制者提供了個(gè)測(cè)試條件的寬闊空間。

由于儀器設(shè)有恒流源開(kāi)關(guān),并且所有電流檔在探針與樣品接觸后均有電流延時(shí)接通的能,充分保護(hù)了樣品表面不會(huì)因?yàn)樘结樈佑|時(shí)產(chǎn)生的電火花而受到損壞。

DP-DB1儀器性能

方阻測(cè)量范圍:1×10-5~2×106Ω/□,小分辨率1×10-5Ω/□;

電阻率測(cè)量范圍:1×10-6~2×105Ω·cm或1×10-8~2×103Ω·m,小分辨率1×10-6Ω·cm或1×10-8Ω·m;

探針壓力:25g~250g;

探針曲率半徑:25μm~450μm

(注:探針壓力及曲率半徑可根據(jù)薄膜材料性能及用戶需求定制);

測(cè)試電流分7檔:1μA、10μA、100μA、1mA、10 mA、100 mA、1000 mA;

測(cè)試電壓:(1μA~10 mA檔)12~80V連續(xù)可調(diào)

           (100mA檔)    8~36V連續(xù)可調(diào)

          (1000mA檔)    8~15V連續(xù)可調(diào);

測(cè)量方式:手動(dòng)或自動(dòng)(配置測(cè)試軟件);

測(cè)量對(duì)象:導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體薄膜、電力電容器鋁箔、各種金屬箔、銀漿涂層、鋰電池隔膜等各種新型電子薄膜;各種半導(dǎo)體材料的電阻率。

 

 

 

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